英雄联盟手游,我们都知道这款游戏目前最主流的玩法就是上单、打野、中单、ADC、辅助这种体系,正常来说搭配上辅为前排、中下为物理/魔法双主C,打野为副C是最完美的。所以说每个位置都十分的重要。
今后会给大家带来每个位置的详细解读,今天给大家带来的是比较热门的位置-ADC。
ADC顾名思义ADCarry,所以我们ADC是要承担后续输出的重任。ADC大致可以分为2类,平A流和poke流。
平A流主要靠平A和暴击或者依附于平A附带的攻击特效输出伤害。优点是持续伤害高,输出稳定。缺点是输出主要靠平A,因此离敌人距离也会更近,团战中环境更加危险。
poke流主要靠技能伤害,技能CD短,伤害高。优点是线上换血强势,AOE伤害足,团战生存率更高。缺点是一旦技能丢空,靠平A输出很难比得过平A流的射手。
召唤师技能目前手游主流带法是闪现+资料和闪现+护盾
闪现+治疗
闪现+护盾
怎么玩好ADC
1、控线
ADC玩家在对线的时候,首先你不要想着让辅助来给你控线、防gank,需要自己创造出一个好的补兵环境,这是一个ADC必须要的一个条件,在对线时,要多多注意对面AD的补兵节奏,例如,对面AD一直在A兵的情况下,那自身的节奏需要比对方稍微慢点,这样就不会让兵线进塔,也不会给兵线太过于远离你的防御塔。
2、补兵和换血
英雄联盟手游比端游好很多,就算没有补到兵,只要在一定范围内还是会有金币的;所以我们在对线的时候,一定要学会换血,在对线时刻,换血是非常重要的。
例如:对面AD在补炮车的时候,可以用平A或者技能来消耗他,如果对面AD不补炮车的话,那就很亏了,前期对线,漏炮车是非常亏的。
3、出装
ADC的后期神装其实都差不多,但是前期会有所差别,所以要根据每个英雄来觉定出装。
比如手游里的卡莎,长剑出门,然后暴风大剑+吸血鬼节杖+长剑就可以进化1技能,所以不一定着急出成装。
4、切入时机
ADC是最容易被秒的,所以打团的时刻,需要时刻注意自身走位,敌方英雄的控制技能以及爆发技能,有没有交出来,有些英雄会估计把大招、控制技能留在手里,等你ADC一出来,这些技能都是往ADC身上砸,ADC一死,团队的持续输出就没有了,团战也很难能打赢。所以切入的时机一定要拿捏到位。
以上就是我个人对ADC这个位置的解读,有什么看法您都可以留言。如果喜欢的话就点点关注吧。
2022年5月5日,在顶级医学期刊《JAMA Oncology》中,刊载了一篇临床研究文章:乐普生物ADC药物MRG003达到了初步研究结果。研究显示:MRG003治疗晚期实体瘤患者具有可控的安全性,并且表现出了对EGFR阳性晚期头颈部鳞状细胞癌和鼻咽癌的良好抗肿瘤活性。
MRG003是乐普生物开发的一款处于临床试验阶段的靶向EGFR的ADC药物,临床数据显示:截止至2021年3月29日,共22名患者参加了1a期试验,39名患者参加了1b期试验。研究推荐的临床剂量为2.5 mg/kg。
研究结果显示:在1a期研究中(共22名患者),1名患者实现了部分缓解,5名患者实现了疾病稳定;在1b期研究中(共39名患者),8名患者实现了确认的部分缓解,12名患者实现了疾病稳定。值得一提的是,头颈部鳞状细胞癌、鼻咽癌和结直肠癌患者的客观缓解率(ORR)分别为40%、44%和0%,疾病控制率(DCR)分别为100%、89%和25%。MRG003针对头颈部鳞状细胞癌实现了100%的临床控制率尤为惊艳。
男性分泌的雄激素,或会降低男性抗癌能力众所周知,Y染色体划分了男女性别差异,男性特有的Y染色体承载着一种可表达决定因子的SRY基因。SRY基因的表达让男性发育出等官,分泌雄性激素,进一步促进男性第二性征,赋予男性生殖能力。
一般来说,男性体内(10-35 nmol/L)的雄激素水平约为女性(0.5-2.4 nmol/L)的10~20倍。而一项刊登在Science Immunology,来自俄亥俄州立大学癌症研究中心、南卡罗莱纳医科大学和哈佛医学院等研究团队的研究成果表明,雄性激素是把双刃剑,在维持男性性征的同时降低男性抗肿瘤能力。
图源:Science Immunology
人体内发挥抗癌功能的T细胞主要有CD8+和CD4+,前者可清除被病毒感染的细胞,并演变成专门杀伤肿瘤的细胞——CD8+肿瘤浸润性淋巴细胞(TLC);后者可激活B细胞和CD8+T细胞,激发强大的免疫反应。
CD8+TLC并不能无限制的杀伤肿瘤细胞,而是随着肿瘤抗原的刺激进入“耗竭”状态:从激活状态到达“祖细胞耗竭”(Progenitor Exhaustion,PE)状态再到“终末耗竭”(Terminal Exhaustion,TE)状态,逐渐失去功能,无法再控制癌症的发展。
为了验证CD8+TLC是否在肿瘤对男性的“偏爱”过程中起到“推波助澜”的作用,研究团队进行了一系列的试验,并得出以下结果:
1、不同性别的患癌小鼠,雄鼠的肿瘤微环境中,处于“耗竭”状态、丧失抗肿瘤功能的CD8+T细胞更多(雄性43.4%,雌性25%)。
2、敲除SRY基因后,雄鼠(包括性转雄鼠)更容易患上膀胱癌,睾酮含量越高,肿瘤发展越快。
3. 对雄鼠进行阉割处理,使其体内睾酮、处于“耗竭”状态的CD8+T细胞占比降低到与雌鼠一致的水平后,雌鼠和雄鼠的抑癌能力没有差异。且睾酮通过雄激素受体信号通路,促进CD8+T细胞进入“耗竭”状态,并在雄鼠体内富集;遏制雄激素受体信号通路或降低睾酮水平,可促进CD8+T细胞发挥抗肿瘤功能。
综上,虽然此前已有研究表明雄激素可抑制胸腺内T细胞的发育,进而抑制免疫系统的能力,但此项研究首次发现雄激素促进抗癌CD8+T细胞功能丧失,进而导致男性抗癌(非性别特异性)能力得到全面抑制。
胶质瘤或是“闻”出来的?浙大研究揭秘肿瘤发生机制5月11日,国际顶级期刊《自然》刊登了一篇由浙江大学医学院博士研究生陈鹏祥(论文第一作者),浙江大学医学院脑科学与脑医学系、良渚实验室研究员刘冲(通讯作者)联合发表的论文研究成果。
此次研究首次通过清晰证据链,证明了嗅觉感知体验和胶质瘤发生之间存在独特的直接联系。
胶质瘤是最常见的恶性原发性颅内肿瘤,年发病率约为3-8人/10万人,从发现疾病到死亡,患者中位生存期仅15个月。患者需要接受手术、放化疗、免疫治疗等多模式治疗。目前认为,胶质瘤的病因由先天的遗传高危因素和后天环境中的致癌因素相互作用导致。但是,尚未确定环境刺激究竟如何与疾病关联。
对此,浙大研究团队利用前沿的化学遗传学干预手段,精确抑制小鼠嗅觉感受神经元活动。研究人员发现,抑制嗅觉感受神经元活动后,肿瘤体积显著下降;而激活其活动后,肿瘤体积增加。结果证实,嗅觉环路神经元的兴奋性活动是胶质瘤产生的根源。
为了验证上述结论,浙大团队进一步通过精准的物理阻断方式,阻断小鼠单侧嗅觉输入。直接封闭小鼠单侧嗅觉输入后,研究人员发现,封闭侧大脑嗅球中肿瘤的体积缩小,充分证明了嗅觉刺激可以调控胶质瘤发生。
刘冲表示,这一成果为后续进一步探究不同感知觉刺激(例如视觉、听觉、味觉、触觉等),甚至是情绪应激和异常神经功能相关疾病,是否也会影响肿瘤发生提供了无限思考空间。基于此研究的深入探索,可以帮助人们更好地理解肿瘤发生本质这一基本生物学问题,并为胶质瘤的预防、早期干预及治疗提供新的方向。
中国药企“双艾方案”显著延长晚期肝细胞癌患者生命2022年5月13日,一项由全球13个国家和地区的95家中心共同参与、南京金陵医院肿瘤中心秦叔逵教授担任全球主要研究者开展的随机对照、开放性、国际多中心III期临床研究(SHR-1210-Ⅲ-310研究)结果表明,对比索拉非尼,卡瑞利珠(艾瑞卡®)单抗联合阿帕替尼(艾坦®)(又称:“双艾”方案)作为一线治疗,可以显著延长晚期肝细胞癌患者的无进展生存期和总生存期。
卡瑞利珠单抗于2019年5月获批上市,已在肺癌、肝癌、食管癌、鼻咽癌以及淋巴瘤五大瘤种中获批8个适应证;阿帕替尼目前也有2个适应证获批,分别针对晚期胃腺癌或胃-食管结合部腺癌、晚期肝细胞癌。
近年来,相关团队开展了“双艾”组合在多个瘤种的临床研究。而在此之前,“双艾”方案进入国家肝癌诊疗规范,为肝癌规范化治疗提供新的选择。
据了解,在原发性肝癌(简称:肝癌)中,肝细胞癌占90%。而肝细胞癌的治疗需要根据疾病分期来选择不同疗法,晚期肝细胞癌的治疗以系统性抗肿瘤治疗为主,新的联合治疗虽一定程度上提高了晚期肝细胞癌患者的生存,但仍有较大提升空间,亟需更多有效的治疗方案。
香港中文大学研究:抑癌STK3激酶或致胃癌恶化香港中文大学(中大)医学院研究发现,传统上被医学界认为可抑制癌症的STK3激酶,在不同类型的胃癌细胞样本均呈现高表达水平,经临床评估后,更发现激酶的水平愈高,患者的病情则愈差,存活率更低。
团队又通过单细胞分析,发现STK3激酶促进细胞和基因复制,从而导致癌症恶化。至于STK3激酶会否影响其他癌症病人的病情,该团队成员陈韦诺指曾经分析乳癌及大肠癌等病人的数据,发现病人体内的STK3激酶数量亦呈高表达。研究已于国际医学期刊《分子癌症》刊登,但长远须通过动物体内实验,以证实激酶对癌症病情的影响。
(资料综合来源:药明康德、科学网、生物探索)
电工在工作中总会遇到各种英文缩写,举个最简单的例子:PLC、NC、NO、这三个英文缩写分别是一个控制器的名字和两个功能的名称,如果不认识会给自己的工作带来很多不便,小编查了好多资料,整理收集了这些内容,建议大家收藏,能用到固然好,就算一时用不到,开阔认知也不错。
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电流表 PA
电压表 PV
有功电度表 PJ
无功电度表 PJR
频率表 PF
相位表 PPA
最大需量表(负荷监控仪) PM
功率因数表 PPF
有功功率表 PW
无功功率表 PR
无功电流表 PAR
声信号 HA
光信号 HS
指示灯 HL
红色灯 HR
绿色灯 HG
黄色灯 HY
蓝色灯 HB
白色灯 HW
连接片 XB
插头 XP
插座 XS
端子板 XT
电线,电缆,母线 W
直流母线 WB
插接式(馈电)母线 WIB
电力分支线 WP
照明分支线 WL
应急照明分支线 WE
电力干线 WPM
照明干线 WLM
应急照明干线 WEM
滑触线 WT
合闸小母线 WCL
控制小母线 WC
信号小母线 WS
闪光小母线 WF
事故音响小母线 WFS
预告音响小母线 WPS
电压小母线 WV
事故照明小母线 WELM
避雷器 F
电工电子电路图符号英文缩写大全
熔断器 FU
快速熔断器 FTF
跌落式熔断器 FF
限压保护器件 FV
电容器 C
电工电子电路图符号英文缩写大全
电力电容器 CE
正转按钮 SBF
反转按钮 SBR
停止按钮 SBS
紧急按钮 SBE
试验按钮 SBT
复位按钮 SR
限位开关 SQ
接近开关 SQP
手动控制开关 SH
时间控制开关 SK
液位控制开关 SL
湿度控制开关
压力控制开关 SP
速度控制开关 SS
温度控制开关,辅助开关 ST
电压表切换开关 SV
电流表切换开关 SA
整流器 U
可控硅整流器 UR
控制电路有电源的整流器 VC
变频器 UF
变流器 UC
逆变器 UI
电动机 M
异步电动机 MA
同步电动机 MS
直流电动机 MD
绕线转子感应电动机 MW
鼠笼型电动机 MC
电动阀 YM
电磁阀 YV
防火阀 YF
排烟阀 YS
电磁锁 YL
跳闸线圈 YT
合闸线圈 YC
气动执行器 YPA,YA
电动执行器 YE
发热器件(电加热) FH
照明灯(发光器件) EL
空气调节器 EV
电加热器加热元件 EE
感应线圈,电抗器 L
励磁线圈 LF
消弧线圈 LA
滤波电容器 LL
电阻器,变阻器 R
电位器 RP
热敏电阻 RT
光敏电阻 RL
压敏电阻 RPS
接地电阻 RG
放电电阻 RD
启动变阻器 RS
频敏变阻器 RF
限流电阻器 RC
光电池,热电传感器 B
压力变换器 BP
温度变换器 BT
速度变换器 BV
时间测量传感器 BT1,BK
液位测量传感器 BL
温度测量传感器 BH,BM
A 电流
AD 模拟-数字转换器
ADC 模拟-数字转换器
ADR 地址
AFM 附加频率修正
AG 自动化装置
AIN 模拟量输入
AOP 高级操作面板
AOUT 模拟量输出
ASIC 专用集成电路
ASP 模拟量给定值
ASVM 非对称空间矢量调制
AC交流
AUT自动
ACC 加速
ADD 附加
ADJ 可调
AUX 辅助
ASY 异步
BCC 块校验字符
BCD 二-十进制编码
BI 开关量连接器输入
BICO 开关量连接器/连接器
BO 开关量连接器输出
BOP 基本操作面板
BRK 制动
BK 黑
BL 蓝
BW 向后
C 控制
C 调试
CB 通信板
CCW 逆时针
CDS 命令数据组
CW 顺时针
CCW 逆时针
CI 连接器输入
CM 配置管理
CMD 命令
CO 连接器输出
CO/BO 连接器输出/开关量连接器输出
COM 公共端(连接到常开或常闭触点上的端子)
COM-Link 通信链路
CT 调试、准备运行
CT 恒转矩
CUT 调试、运行、准备运行
CW 顺时针
DAC 数字-模拟转换器
DC 直流(电)
DDS 传动数据组
DIN 数字量输入
DIP开关
DOUT 数字量输出
DS 传动装置状态
DA 数字-模拟转换器
D 延时(延迟)
D 差动
D 数字
D 降
DC 直流
DEC 减
E 接地
EEC 欧洲经济共同体
EEPROM 电可擦可编程只读存储器
ELCB 漏电保护断路器
EM 紧急
EMC 电磁兼容性
EMF 电动势
EMI 电磁干扰
ESB 等效电路
F 快速
FB 反馈
FW 正,向前
FAQ 经常问到的问题
FB 功能块
FCC 磁通电流控制
FCL 快速电流限制
FF 固定频率
FFB 自由功能块
FOC 磁场定向控制
FSA 框架尺寸A
GSG 入门指南
GUI ID 全局唯一性标识符
GN 绿
HIW 主实际值
HSW 主给定值
HTL 高阈值逻辑
H 高
I/O 输入/输出
IBN 调试
IGBT 绝缘栅双极型晶体管
IND 变址
IN 输入
INC 增
IND 感应
JOG 点动
KIB 动能缓冲
LCD 液晶显示器
LED 发光二极管
LGE 长度
L 左
L 限制
L 低
LA 闭锁
MHB 电动机抱闸
MM4 第4代MICROMASTER变频器
MOP 电动电位器
M 主
M 中
M 中间线
MAN 手动
NC 常闭
NO 常开
NPN 负-正-负
N 中性线
OPI 使用说明书
OFF 断开
ON 接通(闭合)
OUT 输出
PDS 电气传动系统
PID PID(比例-积分-微分)调节器
PKE 参数ID
PKW 参数ID值
PLC 可编程序调节器
PLI 参数表
PNP 正-负-正
POT 电位器
PPO 参数过程数据对象
PTC 正温度系数
PWE 参数值
PWM 脉宽调制
PX 功率扩展
PZD 过程数据
P 压力
P 保护
PE 保护接地
PEN 保护接地与中性线共用
PU 不接地保护
QC 快速调试
RAM 随机访问存储器
RCCB 剩余电流断路器
RCD 剩余电流保护装置
RFG 斜坡函数发生器
RFI 无线电频率干扰
RPM 转/分,每分钟转数
R 记录
R 右
R 反
RD 红色
RST 复位
RES 备用
RUN 运转
SCL 定标
SDP 状态显示屏
SLVC 无传感器矢量控制
STW 控制字
STX 正文开始
SVM 空间矢量调制
S 信号
ST 启动
SET 置位、定位
SAT 饱和
STE 步进
STP 停止
SYN 同步
TTL 晶体管-晶体管逻辑
T 温度
T 时间
TE 无噪音(防干扰)接地
USS 通用串行接口
VC 矢量控制
Vdc 直流中间回路电压
VT 可变转矩
V 真空
V 速度
V 电压
WH 白
YE 黄
ZSW 状态字
ZUSW 附加给定值
来源:技成培训